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  • GE-10X10-BNC10mm Ge大光敏面探測器(BNC接口輸出)( Ge鍺光電二極管)

    10mm Ge大光敏面探測器(BNC接口輸出)( Ge鍺光電二極管) 產(chǎn)品總覽 鍺光電二極管通常用于測量近紅外范圍內(nèi)的光功率,尤其是在成本敏感型應(yīng)用或需要大面積探測器的應(yīng)用中。然而,與類似尺寸的 InGaAs 探測器相比,鍺探測器的分流電阻較低,暗電流較高,導(dǎo)致整體噪聲水平較高。

    更新時(shí)間:2025-03-31
    產(chǎn)品型號(hào):GE-10X10-BNC
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  • Ge 鍺 大光敏PIN光電二極管(800-1800nm 直徑 5mm)

    Ge 鍺 大光敏PIN光電二極管(800-1800nm 直徑 5mm) 筱曉光子庫存?zhèn)溆懈鞣N有效面積和封裝的PIN結(jié)二極管(PD),包括銦鎵砷(InGaAs)、磷化鎵(GaP)、硅(Si)和鍺(Ge)光電二極管。我們有高速硅光電二極管。也有在900到2600 nm的范圍內(nèi)具有高響應(yīng)率,其探測波長超過典型銦鎵砷光電二極管的1800 nm。

    更新時(shí)間:2025-02-06
    產(chǎn)品型號(hào):
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  • Ge 鍺 超大光敏PIN光電二極管(800-1800nm 直徑 10mm)

    Ge 鍺 超大光敏PIN光電二極管(800-1800nm 直徑 10mm) 筱曉光子庫存?zhèn)溆懈鞣N有效面積和封裝的PIN結(jié)二極管(PD),包括銦鎵砷(InGaAs)、磷化鎵(GaP)、硅(Si)和鍺(Ge)光電二極管。我們有高速硅光電二極管。也有在900到2600 nm的范圍內(nèi)具有高響應(yīng)率,其探測波長超過典型銦鎵砷光電二極管的1800 nm。

    更新時(shí)間:2025-02-06
    產(chǎn)品型號(hào):
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  • IRD-GE-05Ge大光敏面鍺光電二極管

    Ge大光敏面鍺光電二極管 800-1800nm 直徑 5mm雙波段光電二極管,它集成了上下緊貼在一起的兩個(gè)光電探測器(硅基底在上,銦鎵砷基底在下),組合波長范圍從400到1700 nm。

    更新時(shí)間:2024-12-04
    產(chǎn)品型號(hào):IRD-GE-05
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