• 1550nm VCSEL垂直腔面發射半導體激光器 1.0mW)

    筱曉(上海)光子技術有限公司,MCT探測器,半導體激光二極管,中紅外QCL激光器,光纖放大器,光電探測器 $n1550nm VCSEL垂直腔面發射半導體激光器 1.0mW)

    更新時間:2025-01-02
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  • PL-VCSEL-1550-1-A81-BFSA1550nm VCSEL垂直腔面發射激光器 (不帶隔離器 1.0mW)

    1550nm VCSEL垂直腔面發射激光器 (不帶隔離器 1.0mW) 產品總覽 垂直腔面發射激光器(Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser),簡稱VCSEL,是一種半導體激光器,其激光垂直于頂面射出。以砷化鎵半導體材料為基礎研制,不同于LED(發光二極管)和LD(激光二極管)。結構由鏡面,有源層和金屬接觸層組成。兩個發射鏡分別為P型,N型布拉格發射器。

    更新時間:2025-03-22
    產品型號:PL-VCSEL-1550-1-A81-BFSA
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  • V00145-Group3795nm VCSEL低功耗芯片GaAs 0.13mW (Group3 Ta=80±10&

    795nm VCSEL低功耗芯片GaAs 0.13mW (Group3 Ta=80±10°C) 產品總覽 垂直腔面發射激光器(Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser),簡稱VCSEL,是一種半導體激光器,其激光垂直于頂面射出。以砷化鎵半導體材料為基礎研制,不同于LED(發光二極管)和LD(激光二極管)。

    更新時間:2025-03-14
    產品型號:V00145-Group3
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  • V00145-Group1795nm VCSEL單模低功耗芯片 GaAs 0.13mW (Group1 Ta=60±

    795nm VCSEL單模低功耗芯片 GaAs 0.13mW (Group1 Ta=60±10°C) 產品總覽 垂直腔面發射激光器(Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser),簡稱VCSEL,是一種半導體激光器,其激光垂直于頂面射出。以砷化鎵半導體材料為基礎研制,不同于LED(發光二極管)和LD(激光二極管)。

    更新時間:2025-03-14
    產品型號:V00145-Group1
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  • V00145-Group2795nm VCSEL單模低功耗芯片 GaAs 0.13mW (Group2 Ta=70±

    795nm VCSEL單模低功耗芯片 GaAs 0.13mW (Group2 Ta=70±10°C) 產品總覽 垂直腔面發射激光器(Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser),簡稱VCSEL,是一種半導體激光器,其激光垂直于頂面射出。以砷化鎵半導體材料為基礎研制,不同于LED(發光二極管)和LD(激光二極管)。

    更新時間:2025-03-14
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